1.DRY-60A型热处理炉（电动）

该设备可稳定实现碳化硅晶片与石墨件之间的粘合及固化处理，可实现工件的原位除气、退火等工艺要求。设备按照国家、行业相关标准进行设计，其结构简单、设计合理、操作便捷、人机交互友好、温度和压力可以自动控制。

本设备可广泛应用于碳化硅籽晶粘接、陶瓷烧结，金属扩散焊接等工艺技术，满足产品生产、技术研究、新材料合成的需求。

2.水平双腔外延炉

（1）水平双腔布置,硬件成本低于两台单腔外延炉;

（2）双腔工艺和维护独立,实现不停机连续生产；

（3）兼容4/6寸晶圆外延生长,外延层质量优异;

（4）全自动上下料，释放人工成本;

3.单腔立式外延炉

（1）相较现有立式外延炉有更低的硬件成本,更小的占地面积; 

（2）兼容4/6寸晶圆外延生长,成膜质量好,可实现厚外延层快速生长；

（3）更长的维护周期,更低的耗材成本；

4.第二代碳化硅晶片腐蚀清洗设备

设备采用双工位设计，全封闭工作台和强排风系统有效防止腐蚀性碱蒸汽对操作人员的身体伤害。该系统集SiC晶片热强碱腐蚀、快速清洗，再次超声清洗和晶片烘干为一体，充分避免了操作人员与腐蚀性强碱溶剂的接触。整个工艺流程全部自动化控制，操作人员只需完成取放片操作，腐蚀效率高，适合产业化应用。

5.915MHz微波等离子体沉积系统(裂缝天线耦合)

主要应用领域：半导体衬底、热沉片、珠宝、刀具、机械密封、新一代移动通信、智能电网、消费类电子等。

6.小圆柱式微波等离子体沉积（CVD）系统

该设备为微波等离子化学气相沉积系统（MWCVD）。采用2.45GHz频率微波源，电场激发谐振腔模式为TM013模式，激发稳定的等离子体。该系统可以稳定生长金刚石单晶材料、多晶晶圆。通过工艺调节,可以稳定生长出 2 英寸金刚石晶圆。

主要应用领域：半导体衬底、热沉片、珠宝、刀具、机械密封、新一代移动通信、智能电网、消费类电子等。